參數(shù)資料
型號(hào)： NDP6050L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
中文描述： 48 A, 50 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 66K
代理商： NDP6050L
NDP6050L Rev. C / NDB6050L Rev. D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
80
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
V = 0V
TJ
25°C
-55°C
1
2
3
5
10
20
30
50
100
200
300
500
1000
2000
3000
4000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C ss
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE W IDTH
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
Typical Electrical Characteristics
(continued)
G
D
S
V
DD
R
GS
R
L
V
OUT
V
IN
DUT
R
V
GEN
GEN
0
20
40
60
80
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
48V
I = 48A
V = 12V
24V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB6050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
NDB608A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（36A，80V，0.042Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流36A, 漏源電壓80V，導(dǎo)通電阻0.042Ω）)
NDP608A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP608AE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
NDP6051 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6051L 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP605A 制造商:Texas Instruments 功能描述:
NDP605B 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP605BEL 制造商:Texas Instruments 功能描述:
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