參數(shù)資料
型號： NDP6050L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
中文描述： 48 A, 50 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： NDP6050L
NDP6050L Rev. C / NDB6050L Rev. D
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
3.0
2.5
3.5
4.0
6.0
5.0
4.5
R
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V = 5V
I = 24A
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
V
G
I = 250μA
V = V
GS
0
20
40
60
80
100
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 3.0V
R
D
5.0
5.5
4.0
4.5
10
6.0
3.5
0
20
40
60
80
100
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 5.0V
J
25°C
-55°C
R
D
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
60
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
125°C
V = 10V
J
25°C
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB6050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
NDB608A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（36A，80V，0.042Ω）(N溝道增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流36A, 漏源電壓80V，導(dǎo)通電阻0.042Ω）)
NDP608A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP608AE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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NDP605A 制造商:Texas Instruments 功能描述:
NDP605B 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP605BEL 制造商:Texas Instruments 功能描述:
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