參數(shù)資料
型號(hào)： NDP6030
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 46 A, 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 56K
代理商： NDP6030
NDP6030.RevB
Typical Electrical Characteristics
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V = 10V
I = 23A
R
D
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
1
2
3
4
5
6
7
0
10
20
30
40
50
60
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 10V
T = -55°C
Figure 5. Transfer Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage
.
0
20
40
60
80
100
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
8.0
20
12
10
6.0
V = 5.0V
7.0
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 4.
On Resistance
Variation with
Gate-To- Source Voltage
.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
60
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
V = 0V
T = 125°C
25°C
-55°C
Figure 6.
Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and
Temperature.
4
5
6
7
8
9
10
0
0.02
0.04
0.06
0.08
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
ID = 23A
R
D
125°C
25°C
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 20V
4.0
7.0
5.0
8.0
10
12
6.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDP6030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6030PL P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB6030 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（46A,30V，0.018Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流46A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.018Ω）)
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NDB603AL N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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