參數(shù)資料
型號(hào)： NDB7060
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 75 A, 60 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 360K
代理商： NDB7060
NDP7060.SAM
0
10
20
I , DRAIN CURRENT (A)
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
g
J
25°C
F
V = 10V
125°C
Figure 13. Transconductance Variation with
Drain Current and Temperature
Figure 14. Maximum Safe Operating Area
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
Typical Electrical Characteristics
(continued)
1
2
3
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
5
10
20
30
60
100
0.3
1
3
10
30
100
300
I
D
100μs
1ms
10ms
100ms
DC
R Limit
DS(ON)
V = 20V
SINGLE PULSE
R = 1 C/W
T = 25°C
JC
o
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
500
1000
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME (ms)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 1.0 °C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
r
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDP7060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管)
NDB710A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP710A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP710AE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP710B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
NDB7060L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NDB7061 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB7061L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB708A 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB708AE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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