參數(shù)資料
型號(hào)： NDB7060
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管)
中文描述： 75 A, 60 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 360K
代理商： NDB7060
Electrical Characteristics
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
I
S
I
SM
V
SD
Maximum Continuos Drain-Source Diode Forward Current
75
A
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
225
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
V
GS
= 0 V, I
S
= 37.5 A
(
Note 1)
0.9
1.3
V
T
J
= 125°C
0.84
1.2
t
rr
I
rr
THERMAL CHARACTERISTICS
Reverse Recovery Time
V
GS
= 0 V, I
F
= 75 A, dI
F
/dt = 100 A/μs
40
76
150
ns
Reverse Recovery Current
2
4.7
10
A
R
θ
JC
R
θ
JA
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 μs, Duty Cycle < 2.0%.
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1
°
C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
62.5
°
C/W
NDP7060.SAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDP7060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管)
NDB710A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP710A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP710AE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP710B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDB7060L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NDB7061 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB7061L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB708A 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB708AE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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