參數(shù)資料
型號(hào)： NDB6050L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 48 A, 50 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商： NDB6050L
NDP6050L Rev. C / NDB6050L Rev. D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
80
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
V = 0V
TJ
25°C
-55°C
1
2
3
5
10
20
30
50
100
200
300
500
1000
2000
3000
4000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C ss
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE W IDTH
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and Temperature
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
Typical Electrical Characteristics
(continued)
G
D
S
V
DD
R
GS
R
L
V
OUT
V
IN
DUT
R
V
GEN
GEN
0
20
40
60
80
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
48V
I = 48A
V = 12V
24V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDP6050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
NDB6050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
NDB608A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（36A，80V，0.042Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流36A, 漏源電壓80V，導(dǎo)通電阻0.042Ω）)
NDP608A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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NDB6060L 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK
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