參數(shù)資料
型號： NDB603AL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 25 A, 30 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： NDB603AL
NDP603AL.SAM
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate Voltage
and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5.
Drain Current Variation with Gate
Voltage and Temperature
.
0
20
40
60
80
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 4V
R
D
8.0
7.0
4.5
6.0
5.0
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V =10V
I = 25A
R
D
0
20
40
60
80
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
J
25°C
-55°C
V = 10V
R
D
1
2
3
4
5
6
0
10
20
30
40
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25
125
V = 10V
J
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
J
25°C
-55°C
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
3.0
4.0
8.07.0
5.0
V =10V
6.0
4.5
Figure 6.
Sub-threshold Drain Current Variation
with Gate Voltage and Temperature
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB603 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6051 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB6051 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP605A N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP605B N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
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參數(shù)描述
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