參數資料
型號： NDB603
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強模式的邏輯電平場效應晶體管
文件頁數： 4/5頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： NDB603
NDP603AL.SAM
Figure 8. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 7. Gate Threshold Variation with
Temperature
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.92
0.96
1
1.04
1.08
1.12
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0
5
10
Q , GATE CHARGE (nC)
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
V
V = 5V
10
G
20
I = 25A
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
100
200
300
500
1000
2000
2500
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
Input, Vin
Output, Vout
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
t
r
t
d(on)
Inverted
10%
Pulse Width
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
V
V = V
GS
I = 10mA
1mA
250uA
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