參數(shù)資料
型號(hào)： NDB603
廠(chǎng)商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式的邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： NDB603
NDP603AL.SAM
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate Voltage
and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5.
Drain Current Variation with Gate
Voltage and Temperature
.
0
20
40
60
80
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 4V
R
D
8.0
7.0
4.5
6.0
5.0
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V =10V
I = 25A
R
D
0
20
40
60
80
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
J
25°C
-55°C
V = 10V
R
D
1
2
3
4
5
6
0
10
20
30
40
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25
125
V = 10V
J
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
J
25°C
-55°C
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
3.0
4.0
8.07.0
5.0
V =10V
6.0
4.5
Figure 6.
Sub-threshold Drain Current Variation
with Gate Voltage and Temperature
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDP6051 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB6051 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP605A N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP605B N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
NDP606A N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDB6030 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB6030L 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB6030PL 功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB603AL 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB6050 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*