參數(shù)資料
型號(hào)： NDB510B
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 13 A, 100 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 72K
代理商： NDB510B
NDP510.SAM
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
0.01
0.1
1
5
10
15
I
V = 0V
TJ
25°C
-55°C
S
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 15A
V = 20V
80
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
30
100
200
500
1000
1600
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
Input, Vin
Output, Vout
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
t
r
t
d(on)
Inverted
10%
Pulse Width
Figure 7. Breakdown Voltage
Variation with Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and
Temperature.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB510BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP510AE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP510B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP510BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB6020P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-24A,-20V，0.05Ω）(P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-24A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.05Ω）)
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