參數(shù)資料
型號： NCV7510DWR2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： FlexMOS Programmable Peak and Hold PWM MOSFET Predriver
中文描述： FlexMOS可編程峰值和保持MOSFET的預(yù)驅(qū)動器的PWM
文件頁數(shù)： 21/22頁
文件大?。?/td> 160K
代理商： NCV7510DWR2
NCV7510
http://onsemi.com
21
PACKAGE DIMENSIONS
SO20L
DW SUFFIX
CASE 751D05
ISSUE G
20
1
11
10
B
20X
H
1
C
L
18X
A1
A
SEATING
h
E
D
M
0
M
B
M
0.25
S
A
S
B
T
e
T
B
A
DIM
A
A1
B
C
D
E
e
H
h
L
MIN
2.35
0.10
0.35
0.23
12.65
7.40
MAX
2.65
0.25
0.49
0.32
12.95
7.60
MILLIMETERS
1.27 BSC
10.05
0.25
0.50
0
10.55
0.75
0.90
7
NOTES:
1. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M, 1994.
3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 PER SIDE.
5. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
SHALL BE 0.13 TOTAL IN EXCESS OF B
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NCV7601 Quad Driver
NCV7601P Quad Driver
NCV7701DWR2 2.0 Amp H-Bridge Driver
NCV7701 2.0 Amp H-Bridge Driver(2A,H橋驅(qū)動器)
NCV7701DW 2.0 Amp H-Bridge Driver
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參數(shù)描述
NCV7510DWR2G 功能描述:功率驅(qū)動器IC OSPI PRE-DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
NCV7512 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:FLEXMOS Quad Low-Side Pre-Driver
NCV7512FTG 功能描述:功率驅(qū)動器IC ANA HEX LO-SD PREDRV RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
NCV7512FTR2G 功能描述:功率驅(qū)動器IC ANA HEX LO-SD PREDRV RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
NCV7513 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:FLEXMOS Hex Low−Side MOSFET Pre−Driver
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