參數(shù)資料
型號： NCR169DRLRA
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： General Purpose Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier
中文描述： 0.8 A, 400 V, SCR, TO-92
封裝： PLASTIC, CASE 029-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： NCR169DRLRA
NCR169D
http://onsemi.com
3
+ Current
+ Voltage
V
TM
I
DRM
at V
DRM
I
H
Symbol
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
Parameter
Peak Repetitive Off State Forward Voltage
Peak Forward Blocking Current
Peak Repetitive Off State Reverse Voltage
Peak Reverse Blocking Current
Peak on State Voltage
Holding Current
Voltage Current Characteristic of SCR
Anode +
on state
Reverse Blocking Region
(off state)
Reverse Avalanche Region
Anode –
Forward Blocking Region
(off state)
I
RRM
at V
RRM
Figure 1. Typical Gate Trigger Current versus
Junction Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
100
90
80
70
60
50
40
30
110
50
35
20
5
–10
–25
–40
G
Figure 2. Typical Gate Trigger Voltage versus
Junction Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
110
65
50
35
20
5
–10
–25
–40
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
G
0.2
20
10
0.9
1.0
95
80
65
95
80
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NCR169DRLRM General Purpose Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier
NCS2001 0.9 V, Rail-to-Rail, Single Operational Amplifier
NCS2001D 0.9 V, Rail-to-Rail, Single Operational Amplifier
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參數(shù)描述
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NCR169DRLRMG 功能描述:SCR 400V 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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