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參數(shù)資料
| 型號： | NCP1607BDR2G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 5/23頁 |
| 文件大小： | 255K |
| 描述： | IC PFC CONTROLLER CRM 8SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 模式： | 臨界傳導(dǎo)（CRM） |
| 電流 - 啟動： | 23.5µA |
| 電源電壓： | 9.5 V ~ 20 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOICN |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | NCP1607BDR2GOSDKR |
NCP1607
http://onsemi.com
5
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(For typical values, T
J
= 25癈. For min/max values, T
J
= 40癈 to +125癈, unless otherwise specified,
V
CC
= 12 V, V
FB
= 2.4 V, V
CS
= 0 V, V
CONTROL
= open, V
ZCD
= open, C
DRV
= 1 nF, C
T
= 1 nF)
Characteristics
Unit
Max
Typ
Min
Symbol
Current Capability of the Negative Active Clamp:
in normal mode (V
ZCD
= 300 mV)
in shutdown mode (V
ZCD
= 100 mV)
I
CL(NEG)
2.5
35
3.7
70
5.0
100
mA
mA
Shutdown Threshold (V
ZCD
falling)
V
SDL
150
205
250
mV
Enable Threshold (V
ZCD
rising)
V
SDH
290
350
mV
Shutdown Comparator Hysteresis
V
SD(HYS)
85
mV
Zero Current Detection Propagation Delay
t
ZCD
100
170
ns
Minimum Detectable ZCD Pulse Width
t
SYNC
70
ns
Drive off Restart Timer
t
START
75
179
300
ms
RAMP CONTROL
Ct Charge Current (V
CT
= 0 V)
25癈 < T
J
< +125癈
40癈 < T
J
< +125癈
I
CHARGE
243
235
270
270
297
297
mA
Time to discharge a 1 nF Ct capacitor from V
CT
= 3.4 V to 100 mV.
t
CT(discharge)
100
ns
Maximum Ct level before DRV switches off
25癈 < T
J
< +125癈
40癈 < T
J
< +125癈
V
CTMAX
2.9
2.9
3.2
3.2
3.3
3.4
V
PWM Propagation Delay
t
PWM
142
220
ns
OVER AND UNDERVOLTAGE PROTECTION
Dynamic Overvoltage Protection (OVP) Triggering Current:
T
J
= 25癈
T
J
= 40癈 to +125癈
I
OVP
9.0
8.7
10.5
11.8
12.1
mA
Hysteresis of the dynamic OVP current before the OVP latch is released
I
OVP(HYS)
8.5
mA
Static OVP Threshold Voltage
V
OVP
V
EAL
+
100 mV
V
Undervoltage Protection (UVP) Threshold Voltage
V
UVP
0.25
0.302
0.4
V
GATE DRIVE SECTION
Gate Drive Resistance:
R
OH
@ I
SOURCE
= 100 mA
R
OL
@ I
SINK
= 100 mA
R
OH
R
OL
12
6.0
18
10
W
Drive voltage rise time from 10% V
CC
to 90% V
CC
t
rise
30
80
ns
Drive voltage fall time from 90% V
CC
to 10% V
CC
t
fall
25
70
ns
Driver output voltage at V
CC
= V
CC(on)
200 mV and I
sink
= 10 mA
V
OUT(start)
0.2
V
3. Parameter values are valid for transient conditions only.
4. Parameter characterized and guaranteed by design, but not tested in production.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCP1611BDR2G | IC PFC CTLR HE ENHANCED 8-SOIC |
| NCP1651DR2G | IC PFC CONTROLLER CCM/DCM 16SOIC |
| NCP1654BD133R2G | IC PFC CCM 133KHZ 8-SOIC |
| NCP1927DR2G | IC CTLR PFC/FLYBACK 16-SOIC |
| NCP380HMU21AATBG | IC CURRENT LIMIT SWITCH 6-UDFN |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| NCP1608BDR2G | 功能描述:功率因數(shù)校正 IC COST EFFECT PWR FACT CONT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關(guān)頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel |
| NCP1608BOOSTGEVB | 功能描述:電源管理IC開發(fā)工具 NCP1608 100 W BOOST EVB PWR SPY RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 產(chǎn)品:Evaluation Kits 類型:Battery Management 工具用于評估:MAX17710GB 輸入電壓: 輸出電壓:1.8 V |
| NCP1611ADR2G | 功能描述:功率因數(shù)校正 IC NCP1611A ENHANCED PFC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關(guān)頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel |
| NCP1611BDR2G | 功能描述:功率因數(shù)校正 IC NCP1611A ENHANCED PFC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關(guān)頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel |
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