參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512W3M5BZB5F
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： 存儲(chǔ)器模塊
英文描述： 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
中文描述： 同一封裝內(nèi)整合了256/512Mb/1Gb（x8/x16，1.8/3V，528字節(jié)頁(yè)）NAND閃存以及256/512Mb（x16/x32，1.8V的）LPSDRAM的MCP
文件頁(yè)數(shù)： 8/23頁(yè)
文件大小： 181K
代理商： NAND512W3M5BZB5F
Summary description
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
8/23
Table 2.
Signal Names: NAND Flash & 1 x SDR LPSDRAM
NAND Flash
I/O0-I/O7
Data Inputs/Outputs for x8 devices
I/O8-I/O15
Data Inputs/Outputs for x16 devices
AL
Address Latch Enable
CL
Command Latch Enable
E
F
Chip Enable
R
Read Enable
RB
Ready/Busy (open-drain output)
W
F
Write Enable
WP
Write Protect
V
DDF
Supply Voltage
V
SSF
Ground
SDR LPSDRAM
A0-A12
Row Address: RA0-RA11
Column Address: CA0-CA8
Auto-precharge flag: A10
BA0-BA1
Bank Address
DQ0-DQ15
Data Inputs/Outputs
K
Clock Input
KE
Clock Enable Input
E
D
Chip Select inputs
W
D
Write Enable Input
RAS
Row Address Strobe Input
CAS
Column Address Strobe Input
DQM0
Upper DQ Mask Enable Output
DQM1
Lower DQ Mask Enable Output
V
DDD
Supply Voltage
V
DDQD
Input/Output Supply Voltage
V
SSD
Ground
V
SSQD
Input/Output Ground
NC
Not Connected Internally
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NASxxx SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR
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NAS1581-10 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT
NAS1581-3 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT
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參數(shù)描述
NAND512W4A0AN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W4A0AZA6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 32MX16 12US 63VFBGA - Trays
NAND64GAH0HZA5F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel
NAND64GW3FGAZN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FULL CUSTOM MCP - Tape and Reel
NAND98R3M0CZBB5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
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