參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512W3M5BZB5F
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： 存儲(chǔ)器模塊
英文描述： 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
中文描述： 同一封裝內(nèi)整合了256/512Mb/1Gb（x8/x16，1.8/3V，528字節(jié)頁(yè)）NAND閃存以及256/512Mb（x16/x32，1.8V的）LPSDRAM的MCP
文件頁(yè)數(shù)： 13/23頁(yè)
文件大?。?/td> 181K
代理商： NAND512W3M5BZB5F
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
Summary description
13/23
Figure 4.
TFBGA107 Connections (Top view through package)
AI10143b
VDDD
A8
DQM1
VSSD
KE
A12
DQM0
H
A9
D
R
C
DQ4
A1
B
A3
A
8
7
6
5
4
3
2
1
VSSD
VDDQD
G
F
E
VDDQD
DU
WP
A0
BA0
DQ6
VSSQD
CAS
A11
NC
WF
BA1
A10
DU
VDDD
VSSD
9
NC
A2
ED
M
L
K
J
DU
DQ15
NC
DQ11
I/O6
VDDQD
VSSQD
NC
DQ9
I/O5
DQ13
VDDD
VSSF
VDDF
A7
I/O4
I/O7
A5
DU
DU
VSSQD
A4
DU
P
N
10
NC
RB
DQ2
NC
NC
EF
I/O3
VDDF
I/O2
NC
CL
AL
DQ0
VSSF
I/O1
VSSF
I/O0
K
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
VDDD
DQ10
DQ12
DQ14
VSSD
DQ8
DU
DU
DU
DU
A6
WD
NC
RAS
VDDF
NC
NC
NC
NC
NC
I/O9
I/O11
I/O13
I/O15
I/O8
I/O10
I/O12
I/O14
DU
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAS-xxx SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR
NASxxx SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR
NAS1581 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT
NAS1581-10 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT
NAS1581-3 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512W4A0AN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W4A0AZA6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 32MX16 12US 63VFBGA - Trays
NAND64GAH0HZA5F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel
NAND64GW3FGAZN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FULL CUSTOM MCP - Tape and Reel
NAND98R3M0CZBB5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
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