參數(shù)資料
型號(hào)： MX29LV640BUTC-12
廠商： MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
元件分類： DRAM
英文描述： 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
中文描述： 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, MO-142, TSOP1-48
文件頁(yè)數(shù)： 24/64頁(yè)
文件大?。?/td> 509K
代理商： MX29LV640BUTC-12
24
P/N:PM1081
REV. 1.0, MAR. 08, 2005
MX29LV640BU
Table 5. Write Operation Status
Notes:
1. Performing successive read operations from the erase-suspended sector will cause Q2 to toggle.
2. Performing successive read operations from any address will cause Q6 to toggle.
3. Reading the word address being programmed while in the erase-suspend program mode will indicate logic "1" at the
Q2 bit.
However, successive reads from the erase-suspended sector will cause Q2 to toggle.
WRITE OPERATION STATUS
The device provides several bits to determine the status
of a write operation: Q2, Q3, Q5, Q6, Q7, and RY/BY#.
Table 5 and the following subsections describe the func-
tions of these bits. Q7, RY/BY#, and Q6 each offer a
method for determining whether a program or erase op-
eration is complete or in progress. These three bits are
discussed first.
Status
Q7#
Note1
Q6
Q5
Q3
Q2
RY/BY#
Note2
Word Program in Auto Program Algorithm
Q7#
Toggle
0
N/A
No
0
Toggle
Auto Erase Algorithm
0
Toggle
0
1
Toggle
0
Erase Suspend Read
(Erase Suspended Sector)
1
No
0
N/A Toggle
1
Toggle
In Progress
Erase Suspended Mode
Erase Suspend Read
(Non-Erase Suspended Sector)
Data
Data
Data
Data
Data
1
Erase Suspend Program
Q7#
Toggle
0
N/A
N/A
0
Word Program in Auto Program Algorithm
Q7#
Toggle
1
N/A
No
0
Toggle
Exceeded
Time Limits Auto Erase Algorithm
0
Toggle
1
1
Toggle
0
Erase Suspend Program
Q7#
Toggle
1
N/A
N/A
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MX29LV640BUTC-12G 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
MX29LV640BUTC-90 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
MX29LV640BUTC-90G 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
MX29LV640BUTI-12 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
MX29LV640BUTI-12G 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MX29LV640EBTI-70G 功能描述:IC FLASH PAR 3V 64MB 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MX29LV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
MX29LV640EBXEI-70G 功能描述:IC FLASH PAR 64MB 70NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MX29LV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
MX29LV640EBXEI-70GTR 制造商:Macronix International Co Ltd 功能描述:MX29LV Series 3 V 64 Mb (8M x 8/4M x 16) 70 ns Parallel Flash - TFBGA-48
MX29LV640EBXEI-90G 制造商:Macronix International Co Ltd 功能描述:MX29LV Series 3 V 64 Mb (8M x 8/4M x 16) 90 ns Parallel Flash - TFBGA-48
MX29LV640ETTI-70G 功能描述:IC FLASH PAR 3V 64MB 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MX29LV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
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