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參數(shù)資料
| 型號： | MX29LV640BUTC-12 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M-BIT [4M x 16] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 23/64頁 |
| 文件大小： | 509K |
| 代理商： | MX29LV640BUTC-12 |
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23
P/N:PM1081
REV. 1.0, MAR. 08, 2005
MX29LV640BU
Table 4-3. CFI Mode: Device Geometry Data Values
Description
Device size (2
n
bytes)
Flash device interface code (02=asynchronous x8/x16)
Address h
27
28
29
2A
2B
2C
2D
2E
2F
30
31h
32h
33h
34h
35h
36h
37h
38h
39h
3Ah
3Bh
3Ch
Data h
0017
0001
0000
0000
0000
0001
007F
0000
0000
0001
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
Maximum number of bytes in multi-byte write (not supported)
Number of erase block regions
Erase block region 1 information
[2E,2D] = # of blocks in region -1
[30, 2F] = size in multiples of 256-bytes
Erase Block Region 2 Information (refer to CFI publication 100)
Erase Block Region 3 Information (refer to CFI publication 100)
Erase Block Region 4 Information (refer to CFI publication 100)
Table 4-4. CFI Mode: Primary Vendor-Specific Extended Query Data Values
Description
Query-unique ASCII string "PRI"
Address h
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
4A
4B
4C
4Dh
Data h
0050
0052
0049
0031
0033
0000
0002
0004
0001
0004
0000
0000
0000
00B5
Major version number, ASCII
Minor version number, ASCII
Address sensitive unlock (0=required, 1= not required)
Erase suspend (2= to read and write)
Sector protect (N= # of sectors/group)
Temporary sector unprotected (1=supported)
Sector protect/unprotected scheme (04=29LV800 mode)
Simultaneous R/W operation (0=not supported)
Burst mode type (0=not supported)
Page mode type (0=not supported)
ACC (Acceleration) Supply Minimum
00h=Not Supported, D7-D4: Volt, D3-D0:100mV
ACC (Acceleration) Supply Maximum
00h=Not Supported, D7-D4: Volt, D3-D0:100mV
Top/Bottom Boot Sector Flag
02h=Bottom Boot Device, 03h=Top BootnDevice
4Eh
00C5
4Fh
0000h
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