參數(shù)資料
型號： MURF820
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 整流器
英文描述： 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： MURF820
MURF820
2
Rectifier Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (3)
(iF = 8.0 Amp, TC = 150°C)
(iF = 8.0 Amp, TC = 25°C)
vF
0.895
0.975
Volts
Maximum Instantaneous Reverse Current (3)
(Rated dc Voltage, TC = 150°C)
(Rated dc Voltage, TC = 25°C)
iR
250
5.0
A
Maximum Reverse Recovery Time
(IF = 1.0 Amp, di/dt = 50 Amp/s)
(IF = 0.5 Amp, iR = 1.0 Amp, IREC = 0.25 Amp)
trr
35
25
ns
(3) Pulse Test: Pulse Width = 300
s, Duty Cycle ≤ 2.0%.
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
I R
,REVERSE
CURRENT
(
A
)
0.01
0.04
0.1
1.0
2.0
10
40
100
400
1.0 K
200
160
120
80
40
0
20
60
100
140
180
TJ = 100°C
25
°C
100
50
20
,INST
ANT
ANEOUS
FOR
W
ARD
CURRENT
(AMPS)
i F
10
5.0
2.0
1.0
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
vF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Typical Forward Voltage
0.3
100
°C
TJ = 25°C
0.4
10 K
Figure 2. Typical Reverse Leakage Current*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MURP20040CTG 100 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MURS120T3 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA
MURS120 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MURS160-E3/2CT 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
MURS160T3 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214BA
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參數(shù)描述
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