- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄98049 > MUN5230T3 (ON SEMICONDUCTOR) 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MUN5230T3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-70, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/39頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 377K |
| 代理商： | MUN5230T3 |
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Tape and Reel Specifications
6–4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
EMBOSSED TAPE AND REEL DATA FOR DISCRETES
A
Full Radius
T Max
G
20.2 mm Min
(.795
″)
1.5 mm Min
(.06
″)
13.0 mm
± 0.5 mm
(.512
″ ± .002″)
50 mm Min
(1.969
″)
Outside Dimension
Measured at Edge
Inside Dimension
Measured Near Hub
Size
A Max
G
T Max
8 mm
330 mm
(12.992
″)
8.4 mm + 1.5 mm, – 0.0
(.33
″ + .059″, –0.00)
14.4 mm
(.56
″)
12 mm
330 mm
(12.992
″)
12.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.49
″ + .079″, –0.00)
18.4 mm
(.72
″)
16 mm
360 mm
(14.173
″)
16.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.646
″ + .078″, –0.00)
22.4 mm
(.882
″)
24 mm
360 mm
(14.173
″)
24.4 mm + 2.0 mm, – 0.0
(.961
″ + .070″, –0.00)
30.4 mm
(1.197
″)
Reel Dimensions
Metric Dimensions Govern — English are in parentheses for reference only
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5232T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5213T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5212T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5234T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5233T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5231 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor |
| MUN5231DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor |
| MUN5231DW1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k |
| MUN5231DW1T1 | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5231DW1T1G | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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