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參數(shù)資料
| 型號： | MUN5230T3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 19/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 377K |
| 代理商： | MUN5230T3 |
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8–7
Package Outline Dimensions
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 1:
PIN 1. CATHODE
2. ANODE
B
D
K
A
C
E
J
1
2
H
CASE 425–04
SOD–123
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.055
0.071
1.40
1.80
B
0.100
0.112
2.55
2.85
C
0.037
0.053
0.95
1.35
D
0.020
0.028
0.50
0.70
E
0.004
–––
0.25
–––
H
0.000
0.004
0.00
0.10
J
–––
0.006
–––
0.15
K
0.140
0.152
3.55
3.85
CASE 463–01
SOT–416/SC–90
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
0.70
0.80
0.028
0.031
B
1.40
1.80
0.055
0.071
C
0.60
0.90
0.024
0.035
D
0.15
0.30
0.006
0.012
G
1.00 BSC
0.039 BSC
H
–––
0.10
–––
0.004
J
0.10
0.25
0.004
0.010
K
1.45
1.75
0.057
0.069
L
0.10
0.20
0.004
0.008
S
0.50 BSC
0.020 BSC
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
M
0.20 (0.008)
B
–A–
–B–
S
D
G
3 PL
0.20 (0.008) A
K
J
L
C
H
3
2
1
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
STYLE 4:
PIN 1. CATHODE
2. CATHODE
3. ANODE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5232T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5213T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5212T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5234T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5231 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor |
| MUN5231DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor |
| MUN5231DW1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k |
| MUN5231DW1T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5231DW1T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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