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參數(shù)資料
| 型號： | MUN5230T3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 34/39頁 |
| 文件大小： | 377K |
| 代理商： | MUN5230T3 |
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MUN5211T1 SERIES
2–772
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5211T1
V
in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
Figure 2. VCE(sat) versus IC
10
020
30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
1
0.1
TA = –25°C
75
°C
25
°C
40
50
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. Output Capacitance
1
0.1
0.01
0.001
020
40
50
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
CE(sat)
,MA
X
IM
U
M
COLLECT
OR
V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
1000
100
10
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA =75°C
25
°C
–25
°C
TA = –25°C
25
°C
Figure 5. Output Current versus Input Voltage
75
°C
25
°C
TA = –25°C
100
10
1
0.1
0.01
0.001
01
2
3
4
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
56
78
9
10
Figure 6. Input Voltage versus Output Current
50
010
20
30
40
4
3
1
2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF
)
75
°C
VCE = 10 V
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25°C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
IC/IB = 10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5232T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5213T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5212T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5234T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5233T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5231 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor |
| MUN5231DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor |
| MUN5231DW1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k |
| MUN5231DW1T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5231DW1T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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