參數資料
型號: MUN5215DW
廠商: ON SEMICONDUCTOR
英文描述: Dual Bias Resistor Transistors
中文描述: 雙偏置電阻晶體管
文件頁數: 4/12頁
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代理商: MUN5215DW
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5211T1
V
I
h
Figure 2. VCE(sat) versus IC
10
0
20
30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
1
0.1
TA= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
40
50
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. Output Capacitance
1
0.1
0.01
0.001
0
20
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
40
50
V
1000
100
101
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
TA= –25
°
C
25
°
C
Figure 5. Output Current versus Input Voltage
75
°
C
25
°
C
TA= –25
°
C
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
4
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
5
6
7
8
9
10
Figure 6. Input Voltage versus Output Current
50
0
10
20
30
40
4
3
1
2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
75
°
C
VCE = 10 V
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
IC/IB = 10
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MUN5215DW1T1 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5215DW1T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5215T1 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5215T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5216 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor