參數(shù)資料
型號(hào): MUN5215DW
廠商: ON SEMICONDUCTOR
英文描述: Dual Bias Resistor Transistors
中文描述: 雙偏置電阻晶體管
文件頁(yè)數(shù): 3/12頁(yè)
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代理商: MUN5215DW
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
(Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Voltage (off) (VCC = 5.0 V, VB = 0.5 V, RL = 1.0 k
)
(VCC = 5.0 V, VB = 0.050 V, RL = 1.0 k
)
(VCC = 5.0 V, VB = 0.25 V, RL = 1.0 k
)
MUN5230T1
MUN5215T1
MUN5216T1
MUN5233T1
VOH
4.9
Vdc
Input Resistor
MUN5211T1
MUN5212T1
MUN5213T1
MUN5214T1
MUN5215T1
MUN5216T1
MUN5230T1
MUN5231T1
MUN5232T1
MUN5233T1
MUN5234T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
k
Resistor Ratio
MUN5211T1/MUN5212T1/MUN5213T1
MUN5214T1
MUN5215T1/MUN5216T1
MUN5230T1/MUN5231T1/MUN5232T1
MUN5233T1
MUN5234T1
R1/R2
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0–50
0
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
50
100
150
P
R
θ
JA = 833
°
C/W
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PDF描述
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參數(shù)描述
MUN5215DW1T1 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5215DW1T1G 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5215T1 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5215T1G 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5216 制造商:WEITRON 制造商全稱(chēng):Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor