參數資料
型號: MUN2212T1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
中文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SC-59, 3 PIN
文件頁數: 8/12頁
文件大?。?/td> 263K
代理商: MUN2212T1
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Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL APPLICATIONS FOR NPN BRTs
LOAD
+12 V
Figure 22. Level Shifter: Connects 12 or 24 Volt Circuits to Logic
IN
OUT
VCC
ISOLATED
LOAD
FROM
μ
P OR
OTHER LOGIC
+12 V
Figure 23. Open Collector Inverter: Inverts the Input Signal
Figure 24. Inexpensive, Unregulated Current Source
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PDF描述
MUN2213T1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN22xxT1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2233T1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2230RT1 VARISTOR TVS ESD 26VDC 300A 1210
MUN2211RT1 Bias Resistor Transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
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MUN2212T3 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MUN2213 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
MUN2213JT1 功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
MUN2213JT1G 功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242