參數(shù)資料
型號(hào)： MUN2212T1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-59, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 263K
代理商： MUN2212T1
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Continued)
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Voltage (off) (VCC = 5.0 V, VB = 0.5 V, RL = 1.0 k
)
(VCC = 5.0 V, VB = 0.050 V, RL = 1.0 k
) MUN2230T1
(VCC = 5.0 V, VB = 0.25 V, RL = 1.0 k
)
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2233T1
VOH
4.9
—
—
Vdc
Input Resistor
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
k
Resistor Ratio
MUN2211T1/MUN2212T1/MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1/MUN2216T1
MUN2230T1/MUN2231T1/MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
R1/R2
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0–50
0
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
50
100
150
P
R
θ
JA = 625
°
C/W
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PDF描述
MUN2213T1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN22xxT1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2233T1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2230RT1 VARISTOR TVS ESD 26VDC 300A 1210
MUN2211RT1 Bias Resistor Transistor
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參數(shù)描述
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MUN2213JT1 功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
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