參數(shù)資料
型號: MUN2212T1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
中文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù): 7/12頁
文件大?。?/td> 263K
代理商: MUN2212T1
7
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2214T1
10
1
0.10
10
20
30
40
50
100
10
10
2
4
6
8
10
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
15
20
25
30
35
40
45
50
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
V
I
h
Figure 17. VCE(sat) versus IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
40
60
80
VC
Figure 18. DC Current Gain
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 19. Output Capacitance
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
0.001
–25
°
C
25
°
C
TA= 75
°
C
VCE = 10
300
250
200
150
100
50
0
2
4
6
8
15
20 40
50
60
70
80
90
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
IC/IB = 10
75
°
C
25
°
C
TA= –25
°
C
VO = 5 V
VO= 0.2 V
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MUN2213T1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN22xxT1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2233T1 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2230RT1 VARISTOR TVS ESD 26VDC 300A 1210
MUN2211RT1 Bias Resistor Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MUN2212T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2212T3 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MUN2213 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
MUN2213JT1 功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
MUN2213JT1G 功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242