參數(shù)資料
型號: MUN2211T3
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/18頁
文件大?。?/td> 160K
代理商: MUN2211T3
MUN2211T1 Series
http://onsemi.com
11
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2216T1
75
°C
25
°C
-25
°C
Figure 27. VCE(sat) versus IC
Figure 28. DC Current Gain
Figure 29. Output Capacitance
Figure 30. Output Current versus Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
Figure 31. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
50
40
20
10
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
100
10
1
0.001
1000
V
CE(sat)
,COLLECT
OR
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
100
6
5
4
3
2
1
0
0.001
1
10
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
10
9
8
7
10
30
20
10
0
0.1
1
40
50
V
in
,INPUT
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
75
°C
25
°C
TA = -25°C
75
°C
25
°C
TA = -25°C
75
°C
25
°C
TA = -25°C
0.01
0.1
30
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
4.5
1.5
45
50
40
30
20
10
0
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF)
0.5
1
2
4
35
25
15
5
3.5
3
2.5
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25°C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
IC/IB = 10
VCE = 10 V
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參數(shù)描述
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MUN2212 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor
MUN2212RT1 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor
MUN2212T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2212T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel