參數(shù)資料
型號： MUN2211T3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù)： 11/18頁
文件大?。?/td> 160K
代理商： MUN2211T3
MUN2211T1 Series
http://onsemi.com
2
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
Package
Marking
R1 (K)
R2 (K)
Shipping
MUN2211T1
SC-59
8A
10
3000/Tape & Reel
MUN2211T1G
SC-59
(Pb-Free)
8A
10
3000/Tape & Reel
MUN2211T3
SC-59
8A
10
10,000/Tape & Reel
MUN2211T3G
SC-59
(Pb-Free)
8A
10
10,000/Tape & Reel
MUN2212T1
SC-59
8B
22
3000/Tape & Reel
MUN2212T1G
SC-59
(Pb-Free)
8B
22
3000/Tape & Reel
MUN2213T1
SC-59
8C
47
3000/Tape & Reel
MUN2213T1G
SC-59
(Pb-Free)
8C
47
3000/Tape & Reel
MUN2214T1
SC-59
8D
10
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3000/Tape & Reel
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SC-59
(Pb-Free)
8D
10
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SC-59
(Pb-Free)
8D
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SC-59
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∞
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SC-59
(Pb-Free)
8E
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3000/Tape & Reel
MUN2216T1
SC-59
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∞
3000/Tape & Reel
MUN2216T1G
SC-59
(Pb-Free)
8F
4.7
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1.0
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SC-59
(Pb-Free)
8G
1.0
3000/Tape & Reel
MUN2231T1 (Note 3)
SC-59
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3000/Tape & Reel
MUN2231T1G (Note 3)
SC-59
(Pb-Free)
8H
2.2
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8J
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SC-59
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8K
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100
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3000/Tape & Reel
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SC-59
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100
∞
3000/Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
3. New devices. Updated curves to follow in subsequent data sheets.
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PDF描述
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參數(shù)描述
MUN2211T3G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2212 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor
MUN2212RT1 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor
MUN2212T1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN2212T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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