參數(shù)資料
型號(hào)： MUBW4-12A6
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 3.6 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-25
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 242K
代理商： MUBW4-12A6
2000 IXYS All rights reserved
5 - 8
MUBW 4-12 A6
10-3
10-2
10-1
100
101
0
50
100
150
200
250
300
23
4
5 6 7 8 9
110
200
400
600
800
100
1000
0.00.2 0.40.6 0.81.0 1.21.4 1.6
0
10
20
30
40
50
I
2t
I
FSM
A
I
F
A
V
F
t
s
t
ms
A
2s
V
Forward characteristics
Surge overload current
I
FSM: crest value, t: duration
I2t versus time (1-10 ms)
typ.
lim.
T
VJ= 180°C
T
VJ=
25°C
50Hz, 80%V
RRM
T
VJ = 45°C
T
VJ = 180°C
V
R = 0 V
T
VJ=45°C
T
VJ=180°C
Input Rectifier Bridge D8 - D13
Transient thermal resistance junction to heatsink
(Z
thJH is measured using 50 m
thermal grease)
ZthJH[K/W]
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t (s)
D = 0
D = 0.005
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
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PDF描述
MUBW6-06A6 7 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MUN2111T3 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MUN2112T3 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MUN2211T3 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MUN2212T3 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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