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參數(shù)資料
| 型號： | MUBW4-12A6 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 3.6 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-25 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 242K |
| 代理商： | MUBW4-12A6 |
2000 IXYS All rights reserved
4 - 8
MUBW 4-12 A6
Module
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T
stg
-40...+125
°C
V
ISOL
I
ISOL 1 mA; 50/60 Hz; t = 1 min
2500
V~
M
d
Mounting torque (M4)
2.0 - 2.2
Nm
18 - 20
lb.in.
d
S
Creepage distance on surface
12.7
mm
d
A
Strike distance in air
12.7
mm
Weight
typ.
42
g
Temperature Sensor R
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
RT
amb = 20°C
4.7
k
W
For additional data see C620/4.7k 5% S+M NTC thermistor catalog
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
21.1
±
0.5
17.1
±
0.3
3.4
±
0.1
5.7
±
0.3
57.3-0.3
5.5+0.2
4.3+0.2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUBW6-06A6 | 7 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MUN2111T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2112T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2211T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2212T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUBW45-12T6K | 功能描述:分立半導體模塊 45 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW50-06A7 | 功能描述:分立半導體模塊 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW50-06A8 | 功能描述:分立半導體模塊 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW50-12A8 | 功能描述:分立半導體模塊 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| MUBW50-12E8 | 功能描述:分立半導體模塊 IGBT (NPT3) 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
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