型號: |
MTY100N10E |
廠商: |
ON Semiconductor |
文件頁數(shù): |
6/7頁 |
文件大小: |
0K |
描述: |
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264 |
產(chǎn)品變化通告: |
Product Discontinuation 30/Jun/2004
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標(biāo)準(zhǔn)包裝: |
25 |
FET 型: |
MOSFET N 通道,金屬氧化物
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FET 特點: |
標(biāo)準(zhǔn)
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漏極至源極電壓(Vdss): |
100V
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電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
100A
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開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
11 毫歐 @ 50A,10V
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Id 時的 Vgs(th)(最大): |
4V @ 250µA
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閘電荷(Qg) @ Vgs: |
378nC @ 10V
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輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
10640pF @ 25V
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功率 - 最大: |
300W
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安裝類型: |
通孔
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封裝/外殼: |
TO-264-3,TO-264AA
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供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
TO-264
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包裝: |
管件
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其它名稱: |
MTY100N10EOS
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