參數(shù)資料
型號: MTY100N10E
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 6/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
產(chǎn)品變化通告: Product Discontinuation 30/Jun/2004
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 25
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 100A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫歐 @ 50A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 378nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 10640pF @ 25V
功率 - 最大: 300W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-264-3,TO-264AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-264
包裝: 管件
其它名稱: MTY100N10EOS