| 型號： | MTY100N10E |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264 |
| 產(chǎn)品變化通告： | Product Discontinuation 30/Jun/2004 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 100A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫歐 @ 50A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 378nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 10640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-264 |
| 包裝： | 管件 |
| 其它名稱： | MTY100N10EOS |