| 型號(hào)： |
MTY100N10E |
| 廠(chǎng)商： |
ON Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264 |
| 產(chǎn)品變化通告： |
Product Discontinuation 30/Jun/2004
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
25 |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
100V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
100A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
11 毫歐 @ 50A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
4V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
378nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
10640pF @ 25V
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| 功率 - 最大： |
300W
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| 安裝類(lèi)型： |
通孔
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| 封裝/外殼： |
TO-264-3，TO-264AA
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
TO-264
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| 包裝： |
管件
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| 其它名稱(chēng)： |
MTY100N10EOS
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