參數(shù)資料
型號： MTSF2P02HDR2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 3000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： MICRO-8
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 280K
代理商： MTSF2P02HDR2
MTSF2P02HD
http://onsemi.com
4
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
2.7 V
VGS = 4.5 V
TJ = 25°C
2.3 V
2.1 V
1.9 V
3.5 V
4.5 V
VGS = 8 V
1.7 V
1.5 V
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
0
0.4
1.6
2
0
1
3
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. OnRegion Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Transfer Characteristics
0.05
Figure 5. OnResistance versus
GatetoSource Voltage
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 6. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1
100
Figure 7. OnResistance Variation
with Temperature
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. DraintoSource Leakage Current
versus Voltage
VDS ≥ 10 V
TJ = 55°C
25
°C
100
°C
4
2
4
1
2
2.5
0.5
0.15
01
2
10
0
4
12
16
20
0.09
3
34
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
50
0
50
100
150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
VGS = 4.5 V
ID = 1.2 A
125
75
25
VGS = 0 V
TJ = 125°C
100
°C
1.2
1.5
1
0.11
0.13
1000
0.01
25
°C
0.8
0.11
0.13
0.15
0.09
0.05
0.07
24
8
6
1
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
ID = 2.4 A
TJ = 25°C
0
0.07
5
2.9 V
2.7 V
2.5 V
5
03
35
7
5
0.1
8
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