參數(shù)資料
型號(hào)： MTP75N03HDL
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： OSCILLATORS 100PPM -10+70 3.3V 4 8.000MHZ TS HCMOS 5X7MM 4PAD SMD
中文描述： 75 A, 25 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 235K
代理商： MTP75N03HDL
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
R
(
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
ID
ID
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
R
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
I
TJ = 25
°
C
VDS
≥
10 V
TJ = 100
°
C
25
°
C
–55
°
C
TJ = 25
°
C
VGS = 0 V
VGS = 10 V
8 V
VGS = 5 V
VGS = 5 V
VGS = 10 V
ID = 37.5 A
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
0.2
0.6
1
1.4
1.8
30
60
90
120
150
0
2
2.5
3.5
4
4.5
1.5
30
60
90
120
150
0
3
30
60
90
120
150
0
0.01
0.002
0.008
0.006
0.004
25
50
100
125
150
0
0.005
0.006
0.007
0.008
0.009
0.004
75
25
100
150
–50
–25
0
50
75
125
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
10
20
30
0
5
15
25
10
100
1000
10000
1
10 V
100
°
C
25
°
C
TJ = 125
°
C
100
°
C
25
°
C
TJ = –55
°
C
3.5 V
3 V
4 V
2.5 V
4.5 V
5 V
6 V
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PDF描述
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MTW6N100E TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM
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