參數(shù)資料
型號(hào)： MTP6N60
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： JFETs
英文描述： 6.8 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 320K
代理商： MTP6N60
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
td(on)
tr
Turn-on Time
Rise Time
VDD = 300 V
ID = 3 A
RG = 50
VGS = 10 V
(see test circuit, figure 3)
50
140
65
175
ns
(di/dt)on
Turn-on Current Slope
VDD = 480 V
ID = 6 A
RG = 50
VGS = 10 V
(see test circuit, figure 5)
240
A/
s
Qg
Qgs
Qgd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
VDD = 480 V
ID = 6 A
VGS = 10 V
78
8
41
98
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
tr(Voff)
tf
tc
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
VDD = 480 V
ID = 6 A
RG = 50
VGS = 10 V
(see test circuit, figure 5)
100
27
145
125
34
180
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ISD
ISDM(
)
Source-drain Current
(pulsed)
3.8
24
A
VSD (
)
Forward On Voltage
ISD = 6 A
VGS = 0
2
V
trr
Qrr
IRRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
ISD = 6 A
di/dt = 100 A/
s
VDD = 100 V
Tj = 150
oC
(see test circuit, figure 5)
750
13.5
38
ns
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Area
Thermal Impedance
MTP6N60
3/9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTP6P20E 6 A, 200 V, 1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP75N03HDL 75 A, 25 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP7N20 7 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP7P05 7 A, 50 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP8N10 8 A, 100 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTP6N60E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHMS
MTP6P20E 功能描述:MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MTP75 制造商:NELLSEMI 制造商全稱:Nell Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Glass Passivated Three-Phase Bridge Rectifier, 75A
MTP75A 制造商:NELLSEMI 制造商全稱:Nell Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Three-Phase Bridge Rectifier, 75A
MTP75D 制造商:NELLSEMI 制造商全稱:Nell Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Three-Phase Bridge Rectifier, 75A
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