參數(shù)資料
型號： MTP4N80E
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 4 A, 800 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： CASE 221A-06, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 110K
代理商： MTP4N80E
MTP4N80E
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
SAFE OPERATING AREA
0.1
1.0
1000
100
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.01
100
10
10 s
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E AS
,SINGLE
PULSE
DRAINT
OSOURCE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
AV
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
0.1
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
RθJC(t) = r(t) RθJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) RθJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
25
150
0
1.0E05
1.0E04
1.0E02
0.1
1.0
0.01
1.0E03
1.0E01
1.0E+00
0.2
0.1
0.05
0.02
SINGLE PULSE
D = 0.5
1.0E+01
350
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
50
100
125
75
50
200
150
100
ID = 4 A
1.0
300
250
0.01
10 ms
1 ms
dc
100 s
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PDF描述
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