參數(shù)資料
型號(hào)： MTP12N10E
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 12 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： CASE 221A-06, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 204K
代理商： MTP12N10E
MTP12N10E
http://onsemi.com
3
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. OnResistance versus Drain Current
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 4. OnResistance Variation
with Temperature
Figure 5. Gate Charge Test Circuit
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
SAME
DEVICE
TYPE
AS DUT
Vin
+18V
VDD
10V
100k
0.1
F
FERRITE
BEAD
DUT
100
2N3904
47k
15V
100k
Vin = 15 Vpk; PULSE WIDTH ≤ 100 s, DUTY CYCLE ≤ 10%.
1mA
47k
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
24
20
16
12
8
4
0
5
4
3
2
1
0
TJ = 25°C
VGS = 10 V
9 V
8 V
7 V
6 V
5 V
24
20
16
12
8
4
0
8
6
4
2
0
VDS ≥ 15 V
TJ = 55°C
25
°C
100
°C
0.6
0.5
0.2
0.3
0.4
0.1
0
24
21
18
15
12
9
6
3
0
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
1
VGS = 10 V
ID = 6 A
V
GS
,GA
TET
OSOURCE
VOL
TAGE
(VOL
TS)
100
80
60
40
20
0
20
16
12
8
4
0
5
10
15
20
25
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 6. GateToSource and
DrainToSource Voltage versus Gate Charge
TJ = 100°C
25
°C
55
°C
ID = 12 A
VDS = 80 V
TJ = 25°C
VDS
VGS
QT
Q1
Q2
Q3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTP12N10L 12 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP12N20 12 A, 200 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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MTM12P05 12 A, 50 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
MTM12P08 12 A, 80 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
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參數(shù)描述
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