參數(shù)資料
型號(hào): MTM86627
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 2000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, WSSMINI6-F1, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
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代理商: MTM86627
MTM86627
4
SJF00085AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
WSSMini6-F1
Unit: mm
+0.05
0.02
1.60 ±0.05
1.00 ±0.05
(0.50)
1.
60
±0
.0
5
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.1
0)
1.
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0.20
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0.03
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2
3
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to
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02
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.1
5)
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PDF描述
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