參數(shù)資料
型號： MTD6N20E
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts(6A, 200V功率MOSFET)
中文描述： 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： MTD6N20E
MTD6N20E
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
R
(
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
ID
ID
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
R
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. OnResistance versus Drain Current
and Temperature
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current versus Voltage
I
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
10 V
T
J
= 55
°
C
25
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A
9 V
8 V
7 V
6 V
5 V
100
°
C
V
GS
= 10 V
25
°
C
55
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 V
15 V
T
J
= 125
°
C
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
6
4
2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
0.70
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
100
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
2
3
4
5
6
7
8
9
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
25
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
0.4
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
10
25
°
C
100
°
C
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