參數(shù)資料
型號： MTD6N20E1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： MTD6N20E1
MTD6N20E
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. OnResistance versus Drain Current
and Temperature
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current versus Voltage
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
TJ = 25°C
VDS ≥ 10 V
TJ = 55°C
25°C
TJ = 100°C
VGS = 0 V
VGS = 10 V
ID = 3 A
9 V
8 V
7 V
6 V
5 V
100°C
VGS = 10 V
25°C
55 °C
TJ = 25°C
VGS = 10 V
15 V
TJ = 125°C
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
6
4
2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
0.70
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
100
1
01
23
4
5
6
7
8
9
2
3
4
5
6
7
8
9
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
0.4
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
10
25°C
100°C
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PDF描述
MTD6N20E-T4 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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MTD6P10ET4 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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