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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MTD2N50 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE DPAK FOR SURFACE MOUNT OR INSERTION MOUNT |
| 中文描述： | 2 A, 500 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | MTD2N50 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD6N20E | TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.7 OHM |
| MTD6P10E | TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM |
| MTM55N10 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTM60N06 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTP1302 | TMOS POWER FET 42 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 22 mohm |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MTD2N50E | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.6 OHM |
| MTD2N50E1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MTD3010N | 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電二極管 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 波長:850nm 顏色 - 增強(qiáng)型:- 光譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:引腳 nm 下響應(yīng)率:0.62 A/W @ 850nm 響應(yīng)時(shí)間:5ns 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 暗（標(biāo)準(zhǔn)）:1nA 有效面積:1mm² 視角:150° 工作溫度:-40°C ~ 100°C 封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） 其它名稱:475-2649-6 |
| MTD3010N-DIG | 制造商:Marktech Optoelectronics 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 |
| MTD3010PM | 功能描述:PHOTO DIODE 900NM DOME CLR TO-18 RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電二極管 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 波長:850nm 顏色 - 增強(qiáng)型:- 光譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:引腳 nm 下響應(yīng)率:0.62 A/W @ 850nm 響應(yīng)時(shí)間:5ns 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 暗（標(biāo)準(zhǔn)）:1nA 有效面積:1mm² 視角:150° 工作溫度:-40°C ~ 100°C 封裝/外殼:徑向，5mm 直徑（T 1 3/4） 其它名稱:475-2649-6 |
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