參數(shù)資料
型號(hào)： MTD2955V
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 12 A, 60 V, 0.23 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 234K
代理商： MTD2955V
MTD2955V
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
Figure 13. Thermal Response
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E AS
,SINGLE
PULSE
DRAINT
OSOURCE
0.1
10
100
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
AV
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
25
50
75
100
125
VGS = 15 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
ID = 12 A
1.0
150
1.0
100
0.1
0
75
25
10
dc
100 ms
1 ms
10 ms
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
50
175
100
125
150
175
200
225
t, TIME (s)
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
RqJC(t) = r(t) RqJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) RqJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
1.0
0.1
0.01
0.2
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
1.0E05
1.0E04
1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
0.02
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PDF描述
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