參數(shù)資料
型號： MTD2955V
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 12 A, 60 V, 0.23 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 234K
代理商： MTD2955V
MTD2955V
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. OnResistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current versus Voltage
0
1
2
345
0
15
25
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
24
6
8
10
0
9
18
24
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25°C
VDS ≥ 10 V
TJ = 55°C
25°C
100°C
VGS = 10 V
9 V
8 V
6 V
5 V
7 V
5
10
20
35
79
3
12
21
67
8
9
10
15
6
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
03
6
15
24
0
0.10
0.20
0.30
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
0
6
21
24
0.050
0.075
0.200
0.250
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
TJ = 25°C
VGS = 10 V
TJ = 100°C
25°C
55°C
12
21
3
12
15
0.05
0.15
0.25
0.100
0.225
0.125
VGS = 10 V
15 V
18
9
0.35
0.40
0.175
918
0.150
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
50
0.6
0.8
1.2
1.6
020
50
60
10
100
1000
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
25
0
25
50
75
100
125
150
VGS = 0 V
VGS = 10 V
ID = 6 A
10
30
40
1.0
1.4
TJ = 125°C
175
0.4
0.2
0
1.8
2.0
100°C
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PDF描述
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