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參數(shù)資料
| 型號： | MTD2955V |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.230 OHM |
| 中文描述： | 12 A, 60 V, 0.23 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 148K |
| 代理商： | MTD2955V |
3
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. On–Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. On–Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
Figure 5. On–Resistance Variation with
Temperature
Figure 6. Drain–To–Source Leakage
Current versus Voltage
0
1
2
3
4
5
0
15
25
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
ID
2
4
6
8
10
0
9
18
24
ID
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25
°
C
VDS
≥
10 V
TJ = – 55
°
C
25
°
C
100
°
C
VGS = 10 V
9 V
8 V
6 V
5 V
7 V
5
10
20
3
5
7
9
3
12
21
6
7
8
9
10
15
6
R
0
3
6
15
24
0
0.10
0.20
0.30
R
0
6
21
24
0.050
0.075
0.200
0.250
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
TJ = 25
°
C
VGS = 10 V
TJ = 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
12
21
3
12
15
0.05
0.15
0.25
0.100
0.225
0.125
VGS = 10 V
15 V
18
9
0.35
0.40
0.175
9
18
0.150
R
(
– 50
0.6
0.8
1.2
1.6
0
20
50
60
10
100
1000
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
– 25
0
25
50
75
100
125
150
VGS = 0 V
VGS = 10 V
ID = 6 A
10
30
40
1.0
1.4
TJ = 125
°
C
175
0.4
0.2
0
1.8
2.0
100
°
C
POWER MOSFET SWITCHING
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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