參數(shù)資料
型號： MTD2955ET4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 12 A, 60 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369A-13, DPAK-3
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 278K
代理商： MTD2955ET4
MTD2955E
http://onsemi.com
7
SAFE OPERATING AREA
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (°C)
E AS
,SINGLE
PULSE
DRAINT
OSOURCE
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
0.1
1.0
100
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
1.0
10
AV
ALANCHE
ENERGY
(mJ)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
0.01
0
25
50
75
100
125
10
120
80
40
ID = 12 A
160
150
Figure 13. Thermal Response
r(t)
,NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
RqJC(t) = r(t) RqJC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) RqJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
100 ms
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25°C
1 ms
10 ms
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1.0
0.01
0.001
200
0.1
10
1.0
t, TIME (SECONDS)
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
dc
D = 0.5
100
240
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PDF描述
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