參數(shù)資料
型號(hào)： MTD20P06HDLG
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 15 A, 60 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 86K
代理商： MTD20P06HDLG
MTD20P06HDL
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
R
DS(on)
,DRAINT
OSOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
I DSS
,LEAKAGE
(nA)
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPS)
03
25
14
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
010
20
30
Figure 3. OnResistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1
100
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
Figure 6. DrainToSource Leakage
Current versus Voltage
13
5
6
VDS ≥ 5 V
100
°C
25
°C
VGS = 5 V
55
°C
25
°C
030
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
20
60
40
VGS = 0 V
TJ = 125°C
TJ = 100°C
TJ = 25°C
VGS = 5 V
ID = 7.5 A
24
10
50
30
VGS = 10 V
8 V
4 V
TJ = 25°C
100
°C
515
15
25
10
25
520
10 V
30
25
20
15
10
5
0
8
710
69
6 V
7 V
9 V
30
25
20
15
10
5
0
TJ = 55°C
0.40
0.32
0.24
0.16
0.08
0
0.275
0.250
0.225
0.200
0.175
0.150
0.125
0.100
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD20P06HDLT4 15 A, 60 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD2955E 12 A, 60 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD2955V 12 A, 60 V, 0.23 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTD2N20-1 2 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
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參數(shù)描述
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