參數(shù)資料
型號(hào)： MTD20N06HDLT4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel DPAK
中文描述： 20 A, 60 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 235K
代理商： MTD20N06HDLT4
MTD20N06HDL
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
(
R
R
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
I
D
, DRAIN CURRENT (Amps)
I
D
, DRAIN CURRENT (Amps)
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (Volts)
ID
Figure 1. On
Region Characteristics
0
10
20
30
40
Figure 2. Transfer Characteristics
0
10
20
30
40
0
0.02
0.04
0.06
0.07
0.025
0.03
0.04
0.05
Figure 3. On
Resistance versus Drain Current
and Temperature
Figure 4. On
Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
0.6
50
0.8
1.0
1.2
1.6
Figure 5. On
Resistance Variation with
Temperature
1.5
2
2.5
3
4
3.5
4.5
V
DS
≥
10 V
100
°
C
25
°
C
0.05
0.03
0.01
V
GS
= 5 V
55
°
C
25
°
C
0
10
20
30
40
0.045
0.035
25
0
25
50
75
100
125
150
1.4
T
J
= 55
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 V
5 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 10 A
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
ID
20
10
T
J
= 25
°
C
2.5 V
0.2
0.6
1.8
1.4
1.0
30
3 V
3.5 V
4 V
4.5 V
5 V
6 V
V
GS
= 10 V
40
8 V
Figure 6. Drain
to
Source Leakage
Current versus Voltage
I
10
1000
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
100
0
10
30
20
V
GS
= 0 V
T
J
= 125
°
C
100
°
C
1
40
60
50
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTD20N06HDLT4G Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel DPAK
MTD6N15 Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount(功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管)
MTD6N20E Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts(6A, 200V功率MOSFET)
MTG-12864A MTG-12864A
MTG-12864D MTG-12864D
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTD20N06HDLT4G 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level N−Channel DPAK
MTD20N06HDT4 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MTD20N06V 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM
MTD20N06VT4 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MTD20P03 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 19 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 0.099 OHM
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