參數(shù)資料
型號： MTB75N05HD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 75 A, 50 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-03, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 240K
代理商： MTB75N05HD
MTB75N05HD
http://onsemi.com
7
0
0.5
1
1.5
2.0
2.5
3
25
50
75
100
125
150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
AT
ION
(W
ATTS)
Figure 15. D2PAK Power Derating Curve
RθJA = 50°C/W
Board material = 0.065 mil FR4
Mounted on the minimum recommended footprint
Collector/Drain Pad Size ≈ 450 mils x 350 mils
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTB75N05HDT4 75 A, 50 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTB8N50ET4 8 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTB8N50E 8 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTB8N50ET4 8 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MTB9N25ET4 9 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTB75N05HDT4 功能描述:MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MTB75N06 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 75 AMPERES 60 VOLTS
MTB75N06HD 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
MTB7671 制造商:Megger 功能描述:METER TEST BOX
MTB-7PL80 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:MTB-7PL80 / 095262-0006 / MICRO
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*