- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385640 > MT58L32L32D (Micron Technology, Inc.) 32K x 32,3.3V I/O, Pipelined, DCD SyncBurst SRAM(1Mb,3.3V輸入/輸出，流水線式，雙循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT58L32L32D |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 32K x 32,3.3V I/O, Pipelined, DCD SyncBurst SRAM(1Mb,3.3V輸入/輸出，流水線式，雙循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 32KX8的32,3.3六/ O的流水線，雙氰胺SyncBurst的SRAM（1兆，3.3V的輸入/輸出，流水線式，雙循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 326K |
| 代理商： | MT58L32L32D |
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1Mb: 64K x 18, 32K x 32/36 3.3V I/O, Pipelined, DCD SyncBurst SRAM
MT58L64L18D.p65 – Rev. 9/99
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
1999, Micron Technology, Inc.
12
1Mb: 64K x 18, 32K x 32/36
3.3V I/O, PIPELINED, DCD SYNCBURST SRAM
Q
50
V = 1.5V
Z = 50
Figure 1
Q
351
317
5pF
+3.3V
Figure 2
LOAD DERATING CURVES
Micron 64K x 18, 32K x 32, or 32K x 36 SyncBurst
SRAM timing is dependent upon the capacitive loading
on the outputs.
Consult the factory for copies of I/O current versus
voltage curves.
AC TEST CONDITIONS
Input pulse levels ................. V
IH
= (V
DD
/2.2) + 1.5V
....................V
IL
= (V
DD
/2.2) - 1.5V
Input rise and fall times..................................... 1ns
Input timing reference levels..................... V
DD
/2.2
Output reference levels ............................V
DD
Q/2.2
Output load ............................. See Figures 1 and 2
OUTPUT LOAD EQUIVALENT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT58L32L36D | 32K x 36,3.3V I/O, Pipelined, DCD SyncBurst SRAM(1Mb,3.3V輸入/輸出，流水線式，雙循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器) |
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參數(shù)描述 |
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